1
/
из
1
Техносфера
Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне. Вонг Б.П., Миттал А. и др.
Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне. Вонг Б.П., Миттал А. и др.
Обычная цена
$42.49 USD
Обычная цена
Цена со скидкой
$42.49 USD
Цена за единицу
/
за
Стоимость доставки рассчитывается при оформлении заказа.
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Product details
- Authors :
- Binding : Hardcover
- Coverage : 1000
- Ean : 9785948363776
- Format : 70x100/16
- Handling Time : 14 days
- Isbn : 978-5-94836-377-6
- Language :
- Pages : 432
- Publication Year : 2014
- Publisher :
- Series : Мир радиоэлектроники
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил...Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.
Поделиться


Isbn:
978-5-94836-377-6
Ean:
9785948363776
HandlingTime:
14 days
Publisher:
Техносфера
Binding:
Hardcover
Pages:
432
1
/
of
2